بهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان نفوذ افقی

thesis
abstract

در این پایان نامه،مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی با تکنولوژی سیلسیم روی عایق(soi-ldmos) مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دو ساختار جدید برای بهبود پارامترهای الکتریکی این نوع ترانزیستور نیز پیشنهاد شده است. در این ساختارها با توجه به کاربردهای این افزاره در الکترونیک قدرت و مخابرات ،بهبود همزمان مشخصه های dc وفرکانسی مد نظر قرار گرفته است. در ساختار پیشنهادی اول قطعه فلزی از جنس کبالت در اکسید مدفون جاسازی شده که انتهای آن به سورس اتصال دارد.این فلز با جذب خطوط میدان به داخل اکسید و ایجاد پیک جدید در میدان الکتریکی ولتاژ شکست را به میزان 67% بهبود می بخشد.همچنین با وجود کاهش جزئی جریان اشباع درین،میزان حداکثر چگالی توان خروجی 33% بهبود دارد. با کاهش خازن گیت-درین به میزان 87%،فرکانس قطع و ماکزیمم فرکانس نوسان به ترتیب به میزان 44%و 162%افزایش یافتند. در ساختار دوم از تکنولوژی سیلسیم روی هیچ استفاده شد و ستون های هوا داخل اکسید گیت تعبیه گردیده است.به دلیل این که ثابت دی الکتریک هوا کم تر از اکسید است،میدان داخل آن افزایش یافته و افزاره می تواند میدان های بالاتر را تحمل کند.در نتیجه ولتاژ شکست به میزان 96% بهبود دارد.قرار دادن هوا به جای بخشی از اکسیدگیت باعث کاهش ثابت دی الکتریک خازن های گیت-سورس و گیت-درین شده و در نتیجه این خازن ها کاهش می یابند.در این ساختار مشخصه های فرکانسی نیز بهبود خوبی را نشان دادند. کلید واژه ها: ترانزیستور اثر میدان نفوذ افقی، تکنولوژی سیلسیم روی عایق، فرکانس قطع، ماکزیمم فرکانس نوسان، تکنولوژی سیلسیم روی هیچ

similar resources

آنالیز و بهبود مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان نفوذی افقی (ldmos)

در این رساله به تحلیل و بررسی افزاره های قدرت به ویژه ترانزیستور ldmos پرداخته شد. این افزاره ها می توانند در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق نیز شکل گیرند. این تکنولوژی مزایای بسیاری از جمله کاهش جریان های نشتی، ایزولاسیون بهتر میان افزاره ها، کاهش خازن های پراکندگی و سایر موارد را داراست. ساختارهای مختلفی نیز در گذشته برای بهبود مشخصات ترانزیستورهای ldmos که در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق شکل گرفته ش...

15 صفحه اول

بهبود مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی گالیم آرسناید

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و ارائه چندین ساختار نوین برای آنها می پردازد. با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آنها در علوم مختلف از جمله در تجهیزات نظامی، در تمام ساختارهای ارائه شده سعی بر آن است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی ترانزیستور را بطور همزمان افزایش دهیم. ابتدا مسفتی از جنس گالیم آرسناید مورد مطالعه قرار گرفته ا...

15 صفحه اول

بهبود مشخصات ترانزیستورهای mesfet در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلیسیوم روی عایق در آن می پردازد و در این راستا چندین ساختار نوین برای آنها ارایه می شود. با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آن ها در علوم مختلف در ساختارهای ارائه شده سعی بر این است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی را بطور همزمان افزایش دهیم.

بررسی اثرات کوانتمی در ترانزیستورهای اثر میدان

این پایان نامه به بحث درباره شبیه سازی ، طراحی و مدل سازی ترانزیستورهای مقیاس نانو در سطح کوانتمی می پردازد. اصول اساسی در این پایان نامه را می توان به ترتیب زیر بیان کرد. فیزیک مناسب اجرا و روش شناختی مدلسازی ترانزیستورها، توسعه روش tcadتکنولوژی طراحی به کمک کامپیوتر برای شبیه سازی سطح کوانتمی، آزمایش و تخمین ویژگی های جدید انتقال حامل در ترانزیستورهای مقیاس نانو و شناسایی پیامد طراحی ابزارها ...

15 صفحه اول

اثر میدان مغناطیسی ضعیف بر ضریب نفوذ گاز رادن

Various studies have been done on the effective factors that cause the emanation of radon gas as the earthquake forecast from the earth. In this study, Magnetic field is examined and the effect of weak magnetic fields of up to 40 gauss applied to paper and aluminum membranes is measured. The results indicate an increase in the diffusion coefficient versus the increase of the applied magnetic fi...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023